Impacto dos desvios de tensão de limiar induzidos por radiação ionizante no desempenho dos blocos básicos de dois amplificadores operacionais complementares
Autor(a) principal: | |
---|---|
Data de Publicação: | 2012 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS |
Texto Completo: | http://hdl.handle.net/10183/61871 |
Resumo: | Este trabalho estuda os efeitos de dose total ionizante (TID – Total Ionizing Dose) em amplificadores operacionais e em seus blocos básicos de construção. A radiação ionizante presente no espaço pode afetar o funcionamento das estruturas MOS, sendo que um dos parâmetros mais prejudicados é a tensão de limiar (Threshold Voltage). Em virtude da diferença nos mecanismos de aprisionamento de cargas nos óxidos dos transistores do tipo N e do tipo P, esses dois dispositivos exibem comportamentos distintos à medida que a dose acumulada aumenta referente à tensão de limiar. Por isso, foram investigados os comportamentos de dois tipos de amplificadores que podem ser ditos complementares entre si. Nesse contexto, através de simulações SPICE desvios na tensão de limiar foram promovidos através da injeção direta no arquivo de parâmetros da tecnologia considerada. Com isso, um conjunto de simulações foi feito para gerar a estimativa da tendência de comportamento de parâmetros que qualificam o desempenho dos amplificadores operacionais, como é o caso do produto ganho largura de banda (GB), ganho DC e THD (Total Harmonic Distortion). Nesse sentido, foi possível compreender os mecanismos associados à degradação de desempenho e concluir qual das duas arquiteturas pode apresentar melhor desempenho relacionado à TID. |
id |
URGS_3687d19c2d95c376465adef9d762bbaa |
---|---|
oai_identifier_str |
oai:www.lume.ufrgs.br:10183/61871 |
network_acronym_str |
URGS |
network_name_str |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS |
repository_id_str |
1853 |
spelling |
Cardoso, Guilherme SchwankeLubaszewski, Marcelo Soares2012-12-14T01:37:31Z2012http://hdl.handle.net/10183/61871000867629Este trabalho estuda os efeitos de dose total ionizante (TID – Total Ionizing Dose) em amplificadores operacionais e em seus blocos básicos de construção. A radiação ionizante presente no espaço pode afetar o funcionamento das estruturas MOS, sendo que um dos parâmetros mais prejudicados é a tensão de limiar (Threshold Voltage). Em virtude da diferença nos mecanismos de aprisionamento de cargas nos óxidos dos transistores do tipo N e do tipo P, esses dois dispositivos exibem comportamentos distintos à medida que a dose acumulada aumenta referente à tensão de limiar. Por isso, foram investigados os comportamentos de dois tipos de amplificadores que podem ser ditos complementares entre si. Nesse contexto, através de simulações SPICE desvios na tensão de limiar foram promovidos através da injeção direta no arquivo de parâmetros da tecnologia considerada. Com isso, um conjunto de simulações foi feito para gerar a estimativa da tendência de comportamento de parâmetros que qualificam o desempenho dos amplificadores operacionais, como é o caso do produto ganho largura de banda (GB), ganho DC e THD (Total Harmonic Distortion). Nesse sentido, foi possível compreender os mecanismos associados à degradação de desempenho e concluir qual das duas arquiteturas pode apresentar melhor desempenho relacionado à TID.This work studies the effects of Total Ionizing Dose (TID) in operational amplifiers as well as in their basics building blocks. The radiation from space may affect functionality of MOS structures. One the most affected parameters is the threshold voltage. Due to the difference between N-type and P-type transistors related to the mechanism of charge trapping into the oxides, these two devices exhibit different behaviors, related to the threshold voltage parameter according to accumulated dose. Therefore, this work investigates the behavior of two counterpart operational amplifiers. In this context, by means of SPICE simulations, threshold deviations are injected into the transistors by modifying the technology models of the devices. Thus, a set of simulations was performed in order to generate an estimative of tendency for some of performance parameters of operational amplifiers, such as: the gain-bandwidth product (GB), DC gain, THD (Total Harmonic Distortion). In this sense, it was possible to understand the mechanisms associated to performance degradation and also, to conclude which of both architectures is more robust related to TID.application/pdfporMicroeletrônicaCircuitos integradosTotal ionizing dose (TID)Radiation effects in analog circuitsAnalog building blocksOperational amplifiersThreshold voltage deviationsImpacto dos desvios de tensão de limiar induzidos por radiação ionizante no desempenho dos blocos básicos de dois amplificadores operacionais complementaresinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisUniversidade Federal do Rio Grande do SulInstituto de InformáticaPrograma de Pós-Graduação em MicroeletrônicaPorto Alegre, BR-RS2012mestradoinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSinstname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)instacron:UFRGSORIGINAL000867629.pdf000867629.pdfTexto completoapplication/pdf1923704http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/61871/1/000867629.pdf317b206f53033975cb950c258066c35fMD51TEXT000867629.pdf.txt000867629.pdf.txtExtracted Texttext/plain184395http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/61871/2/000867629.pdf.txt8765110bf0935a70edb23967933515b5MD52THUMBNAIL000867629.pdf.jpg000867629.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg1037http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/61871/3/000867629.pdf.jpged8f826759e8073009f20051f1b6eed2MD5310183/618712018-10-16 08:46:19.677oai:www.lume.ufrgs.br:10183/61871Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttps://lume.ufrgs.br/handle/10183/2PUBhttps://lume.ufrgs.br/oai/requestlume@ufrgs.br||lume@ufrgs.bropendoar:18532018-10-16T11:46:19Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)false |
dc.title.pt_BR.fl_str_mv |
Impacto dos desvios de tensão de limiar induzidos por radiação ionizante no desempenho dos blocos básicos de dois amplificadores operacionais complementares |
title |
Impacto dos desvios de tensão de limiar induzidos por radiação ionizante no desempenho dos blocos básicos de dois amplificadores operacionais complementares |
spellingShingle |
Impacto dos desvios de tensão de limiar induzidos por radiação ionizante no desempenho dos blocos básicos de dois amplificadores operacionais complementares Cardoso, Guilherme Schwanke Microeletrônica Circuitos integrados Total ionizing dose (TID) Radiation effects in analog circuits Analog building blocks Operational amplifiers Threshold voltage deviations |
title_short |
Impacto dos desvios de tensão de limiar induzidos por radiação ionizante no desempenho dos blocos básicos de dois amplificadores operacionais complementares |
title_full |
Impacto dos desvios de tensão de limiar induzidos por radiação ionizante no desempenho dos blocos básicos de dois amplificadores operacionais complementares |
title_fullStr |
Impacto dos desvios de tensão de limiar induzidos por radiação ionizante no desempenho dos blocos básicos de dois amplificadores operacionais complementares |
title_full_unstemmed |
Impacto dos desvios de tensão de limiar induzidos por radiação ionizante no desempenho dos blocos básicos de dois amplificadores operacionais complementares |
title_sort |
Impacto dos desvios de tensão de limiar induzidos por radiação ionizante no desempenho dos blocos básicos de dois amplificadores operacionais complementares |
author |
Cardoso, Guilherme Schwanke |
author_facet |
Cardoso, Guilherme Schwanke |
author_role |
author |
dc.contributor.author.fl_str_mv |
Cardoso, Guilherme Schwanke |
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv |
Lubaszewski, Marcelo Soares |
contributor_str_mv |
Lubaszewski, Marcelo Soares |
dc.subject.por.fl_str_mv |
Microeletrônica Circuitos integrados |
topic |
Microeletrônica Circuitos integrados Total ionizing dose (TID) Radiation effects in analog circuits Analog building blocks Operational amplifiers Threshold voltage deviations |
dc.subject.eng.fl_str_mv |
Total ionizing dose (TID) Radiation effects in analog circuits Analog building blocks Operational amplifiers Threshold voltage deviations |
description |
Este trabalho estuda os efeitos de dose total ionizante (TID – Total Ionizing Dose) em amplificadores operacionais e em seus blocos básicos de construção. A radiação ionizante presente no espaço pode afetar o funcionamento das estruturas MOS, sendo que um dos parâmetros mais prejudicados é a tensão de limiar (Threshold Voltage). Em virtude da diferença nos mecanismos de aprisionamento de cargas nos óxidos dos transistores do tipo N e do tipo P, esses dois dispositivos exibem comportamentos distintos à medida que a dose acumulada aumenta referente à tensão de limiar. Por isso, foram investigados os comportamentos de dois tipos de amplificadores que podem ser ditos complementares entre si. Nesse contexto, através de simulações SPICE desvios na tensão de limiar foram promovidos através da injeção direta no arquivo de parâmetros da tecnologia considerada. Com isso, um conjunto de simulações foi feito para gerar a estimativa da tendência de comportamento de parâmetros que qualificam o desempenho dos amplificadores operacionais, como é o caso do produto ganho largura de banda (GB), ganho DC e THD (Total Harmonic Distortion). Nesse sentido, foi possível compreender os mecanismos associados à degradação de desempenho e concluir qual das duas arquiteturas pode apresentar melhor desempenho relacionado à TID. |
publishDate |
2012 |
dc.date.accessioned.fl_str_mv |
2012-12-14T01:37:31Z |
dc.date.issued.fl_str_mv |
2012 |
dc.type.status.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type.driver.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/masterThesis |
format |
masterThesis |
status_str |
publishedVersion |
dc.identifier.uri.fl_str_mv |
http://hdl.handle.net/10183/61871 |
dc.identifier.nrb.pt_BR.fl_str_mv |
000867629 |
url |
http://hdl.handle.net/10183/61871 |
identifier_str_mv |
000867629 |
dc.language.iso.fl_str_mv |
por |
language |
por |
dc.rights.driver.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess |
eu_rights_str_mv |
openAccess |
dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf |
dc.source.none.fl_str_mv |
reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS instname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS) instacron:UFRGS |
instname_str |
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS) |
instacron_str |
UFRGS |
institution |
UFRGS |
reponame_str |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS |
collection |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS |
bitstream.url.fl_str_mv |
http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/61871/1/000867629.pdf http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/61871/2/000867629.pdf.txt http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/61871/3/000867629.pdf.jpg |
bitstream.checksum.fl_str_mv |
317b206f53033975cb950c258066c35f 8765110bf0935a70edb23967933515b5 ed8f826759e8073009f20051f1b6eed2 |
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv |
MD5 MD5 MD5 |
repository.name.fl_str_mv |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS) |
repository.mail.fl_str_mv |
lume@ufrgs.br||lume@ufrgs.br |
_version_ |
1810085246473863168 |