Impacto dos desvios de tensão de limiar induzidos por radiação ionizante no desempenho dos blocos básicos de dois amplificadores operacionais complementares

• Autor(a) principal: Cardoso, Guilherme Schwanke
• Data de Publicação: 2012
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: por
• Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/10183/61871
• topic: Microeletrônica; Circuitos integrados; Total ionizing dose (TID); Radiation effects in analog circuits; Analog building blocks; Operational amplifiers; Threshold voltage deviations

Este trabalho estuda os efeitos de dose total ionizante (TID – Total Ionizing Dose) em amplificadores operacionais e em seus blocos básicos de construção. A radiação ionizante presente no espaço pode afetar o funcionamento das estruturas MOS, sendo que um dos parâmetros mais prejudicados é a tensão de limiar (Threshold Voltage). Em virtude da diferença nos mecanismos de aprisionamento de cargas nos óxidos dos transistores do tipo N e do tipo P, esses dois dispositivos exibem comportamentos distintos à medida que a dose acumulada aumenta referente à tensão de limiar. Por isso, foram investigados os comportamentos de dois tipos de amplificadores que podem ser ditos complementares entre si. Nesse contexto, através de simulações SPICE desvios na tensão de limiar foram promovidos através da injeção direta no arquivo de parâmetros da tecnologia considerada. Com isso, um conjunto de simulações foi feito para gerar a estimativa da tendência de comportamento de parâmetros que qualificam o desempenho dos amplificadores operacionais, como é o caso do produto ganho largura de banda (GB), ganho DC e THD (Total Harmonic Distortion). Nesse sentido, foi possível compreender os mecanismos associados à degradação de desempenho e concluir qual das duas arquiteturas pode apresentar melhor desempenho relacionado à TID.