Halogenação de materiais 2D

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Copetti, Gabriela
Data de Publicação: 2019
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS
Texto Completo: http://hdl.handle.net/10183/200871
Resumo: Materiais 2D têm recebido grande atenção da comunidade científica devido ao seu potencial no processo de miniaturização de dispositivos microeletrônicos. Porém, muitas vezes a adaptação de suas propriedades é necessária à sua aplicação. Esta adaptação pode ser realizada por meio da funcionalização utilizando halogêneos, como F e Cl. Nesta tese são apresentadas técnicas de halogenação para a modificação das propriedades do grafeno crescido por deposição de vapor químico (CVD), de grafeno e nanofitas de grafeno crescidos epitaxialmente sobre SiC, e do MoS2 monocamada. A cloração fotoquímica do grafeno CVD resulta em ligações iônicas fracas Cl-C, levando à dopagem e à diminuição da resistência de folha. Por sua vez, a fluoração pela exposição a XeF2 do grafeno CVD resulta na ligação covalente de F à estrutura do grafeno, alterando a hibridização dos átomos de C. No entanto, um procedimento de exposição em pulsos de gás é necessário para evitar o processo de corrosão. Os efeitos da cloração também foram investigados no caso do grafeno e nanofitas sobre SiC. O grafeno epitaxial mostrou-se significativamente mais inerte à cloração. Não obstante, a cloração pode ser utilizada para modificar as tensões mecânicas aplicadas ao mesmo. Finalmente, técnicas para a incorporação de dopantes de F e de Cl no MoS2 são apresentadas. Enquanto o MoS2 necessita apenas ser exposto a XeF2 para ser fluorado, a criação prévia de vacâncias de S é necessária à cloração fotoquímica. Conclui-se que os métodos de halogenação apresentados nesta Tese são poderosas ferramentas para a modificação de materiais 2D. Tais modificações permitiriam a adaptação das propriedades destes materiais, aumentando a versatilidade dos mesmos para a utilização na indústria microelétrônica.
id URGS_e2a0d679ffde3bdbb3f91d022f86b5e6
oai_identifier_str oai:www.lume.ufrgs.br:10183/200871
network_acronym_str URGS
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS
repository_id_str 1853
spelling Copetti, GabrielaRadtke, Claudio2019-10-23T03:50:48Z2019http://hdl.handle.net/10183/200871001103525Materiais 2D têm recebido grande atenção da comunidade científica devido ao seu potencial no processo de miniaturização de dispositivos microeletrônicos. Porém, muitas vezes a adaptação de suas propriedades é necessária à sua aplicação. Esta adaptação pode ser realizada por meio da funcionalização utilizando halogêneos, como F e Cl. Nesta tese são apresentadas técnicas de halogenação para a modificação das propriedades do grafeno crescido por deposição de vapor químico (CVD), de grafeno e nanofitas de grafeno crescidos epitaxialmente sobre SiC, e do MoS2 monocamada. A cloração fotoquímica do grafeno CVD resulta em ligações iônicas fracas Cl-C, levando à dopagem e à diminuição da resistência de folha. Por sua vez, a fluoração pela exposição a XeF2 do grafeno CVD resulta na ligação covalente de F à estrutura do grafeno, alterando a hibridização dos átomos de C. No entanto, um procedimento de exposição em pulsos de gás é necessário para evitar o processo de corrosão. Os efeitos da cloração também foram investigados no caso do grafeno e nanofitas sobre SiC. O grafeno epitaxial mostrou-se significativamente mais inerte à cloração. Não obstante, a cloração pode ser utilizada para modificar as tensões mecânicas aplicadas ao mesmo. Finalmente, técnicas para a incorporação de dopantes de F e de Cl no MoS2 são apresentadas. Enquanto o MoS2 necessita apenas ser exposto a XeF2 para ser fluorado, a criação prévia de vacâncias de S é necessária à cloração fotoquímica. Conclui-se que os métodos de halogenação apresentados nesta Tese são poderosas ferramentas para a modificação de materiais 2D. Tais modificações permitiriam a adaptação das propriedades destes materiais, aumentando a versatilidade dos mesmos para a utilização na indústria microelétrônica.2D materials have drawn the attention of the scientific community due to their potential in the miniaturization process of microelectronic devices. However, their application often requires that properties have to be adapted. Some adaptations can be performed by means of functionalization using halogens such as F and Cl. In this thesis, halogenation techniques are presented aiming the modification of graphene grown by chemical vapor deposition (CVD), epitaxial graphene sheets and nanoribbons grown on SiC, and monolayer MoS2 grown by CVD. The photochemical chlorination of CVD graphene results in Cl-C weak ionic bonding, leading to doping and lowering of sheet resistance. Fluorination by exposure to XeF2 results in the covalent bonding of F to the graphene structure, altering the hybridization of C atoms. However, a pulsed procedure is needed to prevent etching. The effects of chlorination were also investigated for graphene and graphene nanoribbons on SiC. The epitaxial graphene was shown to be significantly more inert to the photochlorination. Even so, this technique can be used to modify the mechanical tensions applied to graphene. Finally, techniques for the incorporation of F and Cl dopants on MoS2 are presented. While exposure to XeF2 is enough to incorporate F, photochemical chlorination requires the creation of S vacancies by a previous processing step. We have shown that the halogenation methods presented in this work are powerful tools for the modification of 2D materiais. This modification would allow the enhancement of the versatility of 2D materials for their application in the microelectronic industry.application/pdfporGrafenoDissulfeto de molibdênioHalogenaçãoCloroFlúorEspectroscopia RamanEspectroscopia de fotoelétrons excitados por raios XGrapheneNanoribbonsMoS2HalogenationChlorineFluorineRaman SpectroscopyXPSNEXAFSHalogenação de materiais 2Dinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisUniversidade Federal do Rio Grande do SulInstituto de FísicaPrograma de Pós-Graduação em FísicaPorto Alegre, BR-RS2019doutoradoinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSinstname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)instacron:UFRGSTEXT001103525.pdf.txt001103525.pdf.txtExtracted Texttext/plain171385http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/200871/2/001103525.pdf.txt523bbb3fffa127c8a1d80108422d0e6dMD52ORIGINAL001103525.pdfTexto completoapplication/pdf11622302http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/200871/1/001103525.pdf267f3cf7a34b52e6ceefe5211a971af7MD5110183/2008712022-04-20 04:47:03.614361oai:www.lume.ufrgs.br:10183/200871Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttps://lume.ufrgs.br/handle/10183/2PUBhttps://lume.ufrgs.br/oai/requestlume@ufrgs.br||lume@ufrgs.bropendoar:18532022-04-20T07:47:03Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)false
dc.title.pt_BR.fl_str_mv Halogenação de materiais 2D
title Halogenação de materiais 2D
spellingShingle Halogenação de materiais 2D
Copetti, Gabriela
Grafeno
Dissulfeto de molibdênio
Halogenação
Cloro
Flúor
Espectroscopia Raman
Espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios X
Graphene
Nanoribbons
MoS2
Halogenation
Chlorine
Fluorine
Raman Spectroscopy
XPS
NEXAFS
title_short Halogenação de materiais 2D
title_full Halogenação de materiais 2D
title_fullStr Halogenação de materiais 2D
title_full_unstemmed Halogenação de materiais 2D
title_sort Halogenação de materiais 2D
author Copetti, Gabriela
author_facet Copetti, Gabriela
author_role author
dc.contributor.author.fl_str_mv Copetti, Gabriela
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Radtke, Claudio
contributor_str_mv Radtke, Claudio
dc.subject.por.fl_str_mv Grafeno
Dissulfeto de molibdênio
Halogenação
Cloro
Flúor
Espectroscopia Raman
Espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios X
topic Grafeno
Dissulfeto de molibdênio
Halogenação
Cloro
Flúor
Espectroscopia Raman
Espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios X
Graphene
Nanoribbons
MoS2
Halogenation
Chlorine
Fluorine
Raman Spectroscopy
XPS
NEXAFS
dc.subject.eng.fl_str_mv Graphene
Nanoribbons
MoS2
Halogenation
Chlorine
Fluorine
Raman Spectroscopy
XPS
NEXAFS
description Materiais 2D têm recebido grande atenção da comunidade científica devido ao seu potencial no processo de miniaturização de dispositivos microeletrônicos. Porém, muitas vezes a adaptação de suas propriedades é necessária à sua aplicação. Esta adaptação pode ser realizada por meio da funcionalização utilizando halogêneos, como F e Cl. Nesta tese são apresentadas técnicas de halogenação para a modificação das propriedades do grafeno crescido por deposição de vapor químico (CVD), de grafeno e nanofitas de grafeno crescidos epitaxialmente sobre SiC, e do MoS2 monocamada. A cloração fotoquímica do grafeno CVD resulta em ligações iônicas fracas Cl-C, levando à dopagem e à diminuição da resistência de folha. Por sua vez, a fluoração pela exposição a XeF2 do grafeno CVD resulta na ligação covalente de F à estrutura do grafeno, alterando a hibridização dos átomos de C. No entanto, um procedimento de exposição em pulsos de gás é necessário para evitar o processo de corrosão. Os efeitos da cloração também foram investigados no caso do grafeno e nanofitas sobre SiC. O grafeno epitaxial mostrou-se significativamente mais inerte à cloração. Não obstante, a cloração pode ser utilizada para modificar as tensões mecânicas aplicadas ao mesmo. Finalmente, técnicas para a incorporação de dopantes de F e de Cl no MoS2 são apresentadas. Enquanto o MoS2 necessita apenas ser exposto a XeF2 para ser fluorado, a criação prévia de vacâncias de S é necessária à cloração fotoquímica. Conclui-se que os métodos de halogenação apresentados nesta Tese são poderosas ferramentas para a modificação de materiais 2D. Tais modificações permitiriam a adaptação das propriedades destes materiais, aumentando a versatilidade dos mesmos para a utilização na indústria microelétrônica.
publishDate 2019
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2019-10-23T03:50:48Z
dc.date.issued.fl_str_mv 2019
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://hdl.handle.net/10183/200871
dc.identifier.nrb.pt_BR.fl_str_mv 001103525
url http://hdl.handle.net/10183/200871
identifier_str_mv 001103525
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS
instname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
instname_str Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron_str UFRGS
institution UFRGS
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS
bitstream.url.fl_str_mv http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/200871/2/001103525.pdf.txt
http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/200871/1/001103525.pdf
bitstream.checksum.fl_str_mv 523bbb3fffa127c8a1d80108422d0e6d
267f3cf7a34b52e6ceefe5211a971af7
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
repository.mail.fl_str_mv lume@ufrgs.br||lume@ufrgs.br
_version_ 1800309154992095232