Crescimento e caracterização de estruturas eletrônicas de GaAs/AlGaAs para aplicação em dispositivos

• Autor(a) principal: Rossi, Jose Carlos
• Data de Publicação: 1993
• Tipo de documento: Tese
• Idioma: por
• Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
• Texto Completo: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-07042015-171926/
• topic: Não disponível; Not available

O presente trabalho descreve a preparação de estruturas semicondutoras a base de AlGaAs/GaAs para a aplicações em dispositivos eletrônicos. As amostras utilizadas foram crescidas pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE Molecular Beam Epitaxy). São apresentados os resultados dos estudos realizados para a preparação de amostras, e analises de morfologia através de microscopia eletrônica de varredura SEM (Scaning Eletronic Microscopy). A calibração da maquina de crescimento efetuadas através de RHEED (Reflection High Energy Electron Difraction). Nas amostras preparadas, foram feitas medidas de transporte eletrônico no gás bi-dimensional das estruturas, através de efeito Hall, e Shubnikov de-Haas (SdH), para determinação de concentração e mobilidade do portadores. Os perfis de concentração com a profundidade foram determinados pela técnica de capacitância voltagem (C-V) As ligas constituintes dos contatos elétricos dos transistores implementados foram determinadas por fluorescência de raios x. São descritos também o processo de fabricação de transistores de efeito de campo em gás bidimensional, Two Electron Gas Field Effect Transistor (TEGFET). Para a implementação destes transistores foram utilizadas amostras com dopagem planar (delta), assim como amostras de AlGaAs/GaAs no caso de High Eletron Mobility Transistor (HEMT). Foram implementados transistores em amostras do tipo dopagem delta e estruturas uniformemente dopadas (HEMT). São apresentadas as curvas características dos transistores medidas na temperatura ambiente e a nitrogênio liquido. A variação da resistividade das amostras HEMT com a temperatura e influencia dos níveis profundos, nestas estruturas