Interação elétron-fonon em estruturas semicondutoras

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Degani, Marcos Henrique
Data de Publicação: 1988
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
Texto Completo: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-10032015-165044/
Resumo: Nesta tese estuda-se a interação elétron (exciton) fônon em várias estruturas semicondutoras tais como poços quânticos, heterojunções, fios quânticos e filmes semicondutores crescidos sobre um substrato semicondutor, através de um método variacional. Mostra-se que a interação elétron (exciton) - fônon LO é importante tanto nos poços quânticos como nos fios quânticos, aumentando a energia de ligação dos excitons e dos elétrons ligados à uma impureza hidrogênica doadora. No caso de elétrons ligados a uma impureza mostra-se que os efeitos de blindagem reduzem drasticamente a energia de ligação e os efeitos polarônicos. Nos fios quânticos, é mostrado que a interação elétron-fônon LO produz efeitos polarônicos sempre superiores aos em sistemas produzidos tridimensionais ou quase-bidimensionais. Estudam-se também os fônons interfaciais existentes em poços quânticos, heterojunções e filmes semicondutores. Obtem-se as relações de dispersão, o potencial de interação elétron-fônon interfacial e os efeitos polarônicos
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