Estrutura eletrônica de uma banda de impureza

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Santanna Filho, Lauro Carvalho
Data de Publicação: 1978
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
Texto Completo: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-10042015-152532/
Resumo: A estrutura eletrônica de uma banda de impureza em um semicondutor altamente dopado é estudada num esquema de ligação forte usando-se uma expansão em cumulantes. As possíveis bandas resultantes dos estados excitados da impureza são desprezadas. Entretanto, usando o princípio variacional, introduzimos um parâmetro que especifica essa banda. A densidade de estados obtida, em virtude do cálculo variacional, difere das anteriores, de outros autores. Essa comparação nos dá uma visão crítica dos estudos teóricos sobre este problema. Ela mostra, em particular, explicitamente, que os modelos baseados em um único nível de átomo da impureza não são apropriados. Um possível aprimoramento seria idear um modo de incluir o nível 2p ( a banda 2p) nos cálculos da densidade de estados
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