Excitons em estruturas semicondutoras quasi-unidimensionais

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Panepucci, Roberto Ricardo
Data de Publicação: 1990
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
Texto Completo: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-10032015-172847/
Resumo: Neste trabalho estudamos o comportamento da energia de ligação de um éxciton em um fio quântico. O modelo utilizado considera barreiras finitas e seção transversal retangular. Utilizamos o método variacional com uma função de onda tentativa na forma gaussiana. Os parâmetros do material utilizados no calculo são os do GaAs/Ga1-xAlxAs. Incluímos a anisotropia das massas dos buracos leve e pesado, que e gerada pelo confinamento na direção y, desprezando outros efeitos na estrutura de banda. Comparamos nossos resultados com cálculos teóricos existentes. Estudamos também o efeito da interação com fônons sobre a energia de ligação do éxciton no fio quântico. Para tanto utilizamos um método variacional conjugado com transformações unitárias proposto por Lee-Low-Pines
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