Implantação iônica de hidrogênio em silício monocristalino.

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Peres, Henrique Estanislau Maldonado
Data de Publicação: 1996
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
Texto Completo: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27082024-112223/
Resumo: O objetivo deste trabalho é estudar a implantação iônica de hidrogênio a fim de obter regiões superficiais de boa qualidade sobre uma camada enterrada de alta resistividade, causada pela danificação da rede cristalina na introdução do hidrogênio. Para isso, primeiramente são procuradas diferentes fontes de hidrogênio, buscando tornar operacional esta implantação no laboratório de microeletrônica da USP. Em seguida são realizadas implantações de hidrogênio seguidas de recozimentos térmicos rápido e convencional. Constata-se a obtenção de camadas enterradas de alta resistividade pelas técnicas de revelação química de defeitos e medida do perfil da resistência de espraiamento. Numa segunda etapa são construídos resistores, diodos e estruturaVan Der Pauw. Com os resistores avalia-se a resistividade média da camada enterrada. Com os diodos avalia-se a qualidade superficial pela análise do fator de idealidade e corrente de saturação. Com a estrutura Van Der Pauw é medida a resistividade da camada superficial. Conclui-se que a implantação de hidrogênio é obtida com operacionalidade satisfatória, que é possível obter camadas de alta resistividade com estabilidade térmica, mas para obtenção de uma melhor qualidade cristalina superficial, é necessário um estudo mais direcionado para esta questão.
id USP_c4126cedc57b33e821ce55df050bda29
oai_identifier_str oai:teses.usp.br:tde-27082024-112223
network_acronym_str USP
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
repository_id_str 2721
spelling Implantação iônica de hidrogênio em silício monocristalino.Untitled in englishMicroelectronicsMicroeletrônicaO objetivo deste trabalho é estudar a implantação iônica de hidrogênio a fim de obter regiões superficiais de boa qualidade sobre uma camada enterrada de alta resistividade, causada pela danificação da rede cristalina na introdução do hidrogênio. Para isso, primeiramente são procuradas diferentes fontes de hidrogênio, buscando tornar operacional esta implantação no laboratório de microeletrônica da USP. Em seguida são realizadas implantações de hidrogênio seguidas de recozimentos térmicos rápido e convencional. Constata-se a obtenção de camadas enterradas de alta resistividade pelas técnicas de revelação química de defeitos e medida do perfil da resistência de espraiamento. Numa segunda etapa são construídos resistores, diodos e estruturaVan Der Pauw. Com os resistores avalia-se a resistividade média da camada enterrada. Com os diodos avalia-se a qualidade superficial pela análise do fator de idealidade e corrente de saturação. Com a estrutura Van Der Pauw é medida a resistividade da camada superficial. Conclui-se que a implantação de hidrogênio é obtida com operacionalidade satisfatória, que é possível obter camadas de alta resistividade com estabilidade térmica, mas para obtenção de uma melhor qualidade cristalina superficial, é necessário um estudo mais direcionado para esta questão.The purpose of this work is to study hydrogen ion implantation with the aim to obtain an stable structure formed by an improved quality surface region over a damaged high resistivity buried layer. Firstly, many hydrogen sources are experimented to obtain an operational condition for hydrogen implantation. Afterwards, hydrogen implantations are made followed by rapid and conventional termal annealings over the samples. The existence of a high resistivity buried layer is verified by spreading resistance probe technique and its damaged structure is verified by chemical defect. Decoration technique. Finally, resistors, diodes and a Van Der Pauw structure are processed to estimate the buried layer resistivity and to evaluate the surface quality. It is concluded that: operational conditions for hydrogen implantation are satisfactory and it is possible to obtain stable high resistivity layers. However, to obtain improved quality surfaces, more directioned studies are necessary.Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USPFernandez, Francisco Javier RamírezPeres, Henrique Estanislau Maldonado1996-09-02info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttps://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27082024-112223/reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USPLiberar o conteúdo para acesso público.info:eu-repo/semantics/openAccesspor2024-08-27T14:26:02Zoai:teses.usp.br:tde-27082024-112223Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212024-08-27T14:26:02Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false
dc.title.none.fl_str_mv Implantação iônica de hidrogênio em silício monocristalino.
Untitled in english
title Implantação iônica de hidrogênio em silício monocristalino.
spellingShingle Implantação iônica de hidrogênio em silício monocristalino.
Peres, Henrique Estanislau Maldonado
Microelectronics
Microeletrônica
title_short Implantação iônica de hidrogênio em silício monocristalino.
title_full Implantação iônica de hidrogênio em silício monocristalino.
title_fullStr Implantação iônica de hidrogênio em silício monocristalino.
title_full_unstemmed Implantação iônica de hidrogênio em silício monocristalino.
title_sort Implantação iônica de hidrogênio em silício monocristalino.
author Peres, Henrique Estanislau Maldonado
author_facet Peres, Henrique Estanislau Maldonado
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Fernandez, Francisco Javier Ramírez
dc.contributor.author.fl_str_mv Peres, Henrique Estanislau Maldonado
dc.subject.por.fl_str_mv Microelectronics
Microeletrônica
topic Microelectronics
Microeletrônica
description O objetivo deste trabalho é estudar a implantação iônica de hidrogênio a fim de obter regiões superficiais de boa qualidade sobre uma camada enterrada de alta resistividade, causada pela danificação da rede cristalina na introdução do hidrogênio. Para isso, primeiramente são procuradas diferentes fontes de hidrogênio, buscando tornar operacional esta implantação no laboratório de microeletrônica da USP. Em seguida são realizadas implantações de hidrogênio seguidas de recozimentos térmicos rápido e convencional. Constata-se a obtenção de camadas enterradas de alta resistividade pelas técnicas de revelação química de defeitos e medida do perfil da resistência de espraiamento. Numa segunda etapa são construídos resistores, diodos e estruturaVan Der Pauw. Com os resistores avalia-se a resistividade média da camada enterrada. Com os diodos avalia-se a qualidade superficial pela análise do fator de idealidade e corrente de saturação. Com a estrutura Van Der Pauw é medida a resistividade da camada superficial. Conclui-se que a implantação de hidrogênio é obtida com operacionalidade satisfatória, que é possível obter camadas de alta resistividade com estabilidade térmica, mas para obtenção de uma melhor qualidade cristalina superficial, é necessário um estudo mais direcionado para esta questão.
publishDate 1996
dc.date.none.fl_str_mv 1996-09-02
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27082024-112223/
url https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27082024-112223/
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv
dc.rights.driver.fl_str_mv Liberar o conteúdo para acesso público.
info:eu-repo/semantics/openAccess
rights_invalid_str_mv Liberar o conteúdo para acesso público.
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.coverage.none.fl_str_mv
dc.publisher.none.fl_str_mv Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
publisher.none.fl_str_mv Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
dc.source.none.fl_str_mv
reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
instname:Universidade de São Paulo (USP)
instacron:USP
instname_str Universidade de São Paulo (USP)
instacron_str USP
institution USP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)
repository.mail.fl_str_mv virginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.br
_version_ 1809091130519715840

Registros relacionados