Implantação iônica de hidrogênio em silício monocristalino.

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Peres, Henrique Estanislau Maldonado
Data de Publicação: 1996
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
Texto Completo: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27082024-112223/
Resumo: O objetivo deste trabalho é estudar a implantação iônica de hidrogênio a fim de obter regiões superficiais de boa qualidade sobre uma camada enterrada de alta resistividade, causada pela danificação da rede cristalina na introdução do hidrogênio. Para isso, primeiramente são procuradas diferentes fontes de hidrogênio, buscando tornar operacional esta implantação no laboratório de microeletrônica da USP. Em seguida são realizadas implantações de hidrogênio seguidas de recozimentos térmicos rápido e convencional. Constata-se a obtenção de camadas enterradas de alta resistividade pelas técnicas de revelação química de defeitos e medida do perfil da resistência de espraiamento. Numa segunda etapa são construídos resistores, diodos e estruturaVan Der Pauw. Com os resistores avalia-se a resistividade média da camada enterrada. Com os diodos avalia-se a qualidade superficial pela análise do fator de idealidade e corrente de saturação. Com a estrutura Van Der Pauw é medida a resistividade da camada superficial. Conclui-se que a implantação de hidrogênio é obtida com operacionalidade satisfatória, que é possível obter camadas de alta resistividade com estabilidade térmica, mas para obtenção de uma melhor qualidade cristalina superficial, é necessário um estudo mais direcionado para esta questão.
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