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1
Analog parameters of solid source Zn diffusion in X Ga1-XAs nTFETs down to 10 K
por
Bordallo
,
C
.
Publicado em 2016
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Artigo
2
Analysis of the transistor efficiency of Gas Phase Zn Diffusion In0.53Ga0.47As nTFETs at different temperatures
por
Bordallo
,
C
.
Publicado em 2017
Acessar documento
Artigo de conferência
3
Impact of the Zn diffusion process at the source side of InxGa1-xAs nTFETs on the analog parameters down to 10 K
por
Bordallo
,
C
.
Publicado em 2018
Acessar documento (1)
Acessar documento (2)
Artigo de conferência
4
Impact of InxGa1-x composition and source Zn diffusion temperature on intrinsic voltage gain in InGaAs TFETs
por
Bordallo
,
C
.
Publicado em 2016
Acessar documento
Artigo de conferência
5
Impact of the Zn diffusion process at the source side of InXGa1-XAs nTFETs on the analog parameters down to 10 K
por
Bordallo
,
C
.
Publicado em 2017
Acessar documento
Artigo de conferência
6
Analysis of the transistor efficiency of gas phase Zn diffusion In0.53Ga0.47As nTFETs at different temperatures
por
Bordallo
,
C
.
Publicado em 2017
Acessar documento (1)
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Artigo de conferência
7
Impact of InxGa1-x composition and source Zn diffusion temperature on intrinsic voltage gain in InGaAs TFETs
por
Bordallo
,
C
.
Publicado em 2017
Acessar documento (1)
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Artigo de conferência
8
Estudo do efeito da radiação de prótons em transistores SOI MOSFETs de múltiplas portas
por
Bordallo
,
C
. C. M.
Publicado em 2014
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Dissertação
9
Low temperature performance of proton irradiated strained SOI FinFET
por
Caparroz, L. F. V.
Publicado em 2017
Outros Autores:
“
...
Bordallo
,
C
. C. M....
”
Acessar documento
Artigo de conferência
10
InGaAs tunnel FET with sub-nanometer EOT and sub-60 mV/dec sub-threshold swing at room temperature
por
Alian, A.
Publicado em 2016
Outros Autores:
“
...
Bordallo
,
C
. C.M....
”
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Artigo
11
OPPOSITE TRENDS BETWEEN DIGITAL AND ANALOG PERFORMANCE FOR DIFFERENT TFET TECHNOLOGIES
por
Agopian, P. G. D. [UNESP]
Publicado em 2018
Outros Autores:
“
...
Bordallo
,
C
....
”
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Artigo de conferência
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