Análise de falhas em uma memória PSRAM por efeitos de dose total ionizante

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Both, Thiago Hanna
Data de Publicação: 2011
Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFRGS
Texto Completo: http://hdl.handle.net/10183/65657
Resumo: Este relatório apresenta o trabalho desenvolvido durante a disciplina Projeto de Diplomação do Curso de Engenharia Elétrica da Universidade Federal do Rio Grande do Sul. O objetivo deste trabalho é descrever os efeitos da dose total ionizante em uma memória PSRAM comercial. Circuitos típicos deste tipo de memória foram abordados, bem como conceitos básicos de TID e de organização de memória. Simulações dos efeitos de dose total foram realizadas e os resultados comparados ao resultado experimental de um teste de irradiação realizado no LRI/IEAv.
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spelling Both, Thiago HannaWirth, Gilson Inacio2013-01-30T01:39:10Z2011http://hdl.handle.net/10183/65657000864793Este relatório apresenta o trabalho desenvolvido durante a disciplina Projeto de Diplomação do Curso de Engenharia Elétrica da Universidade Federal do Rio Grande do Sul. O objetivo deste trabalho é descrever os efeitos da dose total ionizante em uma memória PSRAM comercial. Circuitos típicos deste tipo de memória foram abordados, bem como conceitos básicos de TID e de organização de memória. Simulações dos efeitos de dose total foram realizadas e os resultados comparados ao resultado experimental de um teste de irradiação realizado no LRI/IEAv.This document presents the work developed in the final project of the graduation in Electrical Engineering at Universidade Federal do Rio Grande do Sul. The purpose of this work is to analyse the effects of the total ionizing dose on a commercial PSRAM memory for aerospace applications. Typical memory circuits were covered, as well as basic concepts of the TID and of memory organization. Simulation of the TID were performed on typical memory circuits and compared to the experimental results of an irradiation test carried out at LRI/IEAv.application/pdfporEngenharia elétricaDRAMPSRAMRadiação ionizanteTIDAnálise de falhas em uma memória PSRAM por efeitos de dose total ionizanteinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/bachelorThesisUniversidade Federal do Rio Grande do SulEscola de EngenhariaPorto Alegre, BR-RS2011Engenharia Elétricagraduaçãoinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional da UFRGSinstname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)instacron:UFRGSORIGINAL000864793.pdf000864793.pdfTexto completoapplication/pdf820503http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/65657/1/000864793.pdf49ec5d5e8ad1cbdefb25d00726bfb607MD51TEXT000864793.pdf.txt000864793.pdf.txtExtracted Texttext/plain67468http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/65657/2/000864793.pdf.txt8198f1bbe4905cca3450fc40acf6dccfMD52THUMBNAIL000864793.pdf.jpg000864793.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg976http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/65657/3/000864793.pdf.jpg1042a32956058533cdfb2e7258674db1MD5310183/656572018-10-16 09:32:48.459oai:www.lume.ufrgs.br:10183/65657Repositório de PublicaçõesPUBhttps://lume.ufrgs.br/oai/requestopendoar:2018-10-16T12:32:48Repositório Institucional da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)false
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