Resultados da busca por Autor

1

Dipole relaxation current in N-type AlxGa1-xAs

por Scalvi, Luis V.A. [UNESP]

Publicado em 1994

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Artigo de conferência

2

Light-induced relaxing dipoles in n-type AlxGa1-xAs

por Scalvi, Luis V. A. [UNESP]

Publicado em 1995

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Artigo

3

Zirconium oxide film deposition properties to build transparent electronic devices in conjunction with tin dioxide

por Fonseca, Lucas P. [UNESP]

Publicado em 2022

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Artigo

4

Investigation of sensing properties of sol–gel processed 4 at%Sb:SnO2/TiO2 thin films

por Boratto, Miguel H. [UNESP]

Publicado em 2018

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Artigo

5

On the photo-induced electrical conduction related to gas sensing of the Sb:SnO2/TiO2 heterostructure

por Ramos, Roberto A. [UNESP]

Publicado em 2018

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Artigo

6

Powder diffraction of components subject to corrosion in fuse cutouts with ceramiclnsulation

por Carvalho, Alex V. [UNESP]

Publicado em 2008

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Artigo de conferência

7

Deposition of TiO2 thin films by dip-coating technique from a two-phase solution method and application to photocatalysis

por Pedrini, Luiz F.K. [UNESP]

Publicado em 2021

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Artigo

8

Ambipolar transport in tin dioxide thin film transistors promoted by PCBM fullerene

por Boratto, Miguel H. [UNESP]

Publicado em 2018

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Artigo

9

Photoluminescence of Rare-Earth Ions in the Nanocrystalline GaAs/SnO2 Heterostructure and the Photoinduced Electrical Properties Related to the Interface

por Machado, Diego H. O. [UNESP]

Publicado em 2017

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Artigo

10

X-ray absorption spectroscopy and Eu3+-emission characteristics in GaAs/SnO2 heterostructure

por Bueno, Cristina F. [UNESP]

Publicado em 2020

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Artigo

11

Analysis of Er3+ incorporation in SnO2 by optical investigation

por Morais, Evandro A. de [UNESP]

Publicado em 2006

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Artigo

12

Generation and Propagation of Superhigh-Frequency Bulk Acoustic Waves in GaAs

por Machado, Diego H.O. [UNESP]

Publicado em 2019

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Artigo

13

Synthesis and characterization of cu2-xs structures by different chemical routes for electronic applications

por Lima, João V.M. [UNESP]

Publicado em 2021

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Artigo

14

Thermal Annealing Influence on the Properties of Heterostructure Based on 2 at.%Eu Doped SnO2 and Cu1.8S

por Lima, João V. M. [UNESP]

Publicado em 2018

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Artigo

15

Memristive behavior of the SnO2/TiO2 interface deposited by sol–gel

por Boratto, Miguel H. [UNESP]

Publicado em 2017

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Artigo

16

Annealing temperature influence on sol-gel processed zirconium oxide thin films for electronic applications

por Boratto, Miguel H. [UNESP]

Publicado em 2018

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Artigo

17

Influence of substrate temperature on the deposition of the homostructure SnO2:Sb/SnO2:Er via sol–gel dip-coating

por dos Santos, Stevan B. O. [UNESP]

Publicado em 2019

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Artigo

18

Interface conduction and photo-induced electrical transport in the heterojunction formed by GaAs and Ce3+-doped SnO2

por Machado, Diego H. O. [UNESP]

Publicado em 2017

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Artigo

19

Photo-induced electrical behavior under gas adsorption on SnO2 -based heterostructures

por Machado, Diego H.O. [UNESP]

Publicado em 2020

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Artigo

20

A dynamic time-temperature-dependent process for thermal oxidation of Sn leading to SnOx thin films: Impedance spectroscopy study

por Barreira, Enzo A. [UNESP]

Publicado em 2020

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