Resultados da busca por Autor

1

Effects of carbon on dynamic annealing and on electrical activation of dopants in silicon substrate

por Souza, Joel Pereira de

Publicado em 1994

Acessar documento

Artigo

2

Mechanism for enhancement of electrical activation of silicon in GaAs by aluminum co-implantation

por Souza, Joel Pereira de

Publicado em 1993

Acessar documento

Artigo

3

Electrical isolation in GaAs by light ion irradiation : the role of antisite defects

por Souza, Joel Pereira de

Publicado em 1996

Acessar documento

Artigo

4

Enhanced damage accumulation in carbon implanted silicon

por Souza, Joel Pereira de

Publicado em 1994

Acessar documento

Artigo

5

Metastable acceptor centers in boron implanted silicon

por Souza, Joel Pereira de

Publicado em 1995

Acessar documento

Artigo

6

Outdiffusion of Be during rapid thermal annealing of high dose be implanted gaas

por Souza, Joel Pereira de

Publicado em 1990

Acessar documento

Artigo

7

Recrystallization behavior of silicon implanted with iron

por Souza, Joel Pereira de

Publicado em 1992

Acessar documento

Artigo

8

Electrical Activation of Bismuth Implanted Into Silicon by Rapid Thermal Annealing and Kinetics of Defects

por Souza, Joel Pereira de

Publicado em 1993

Acessar documento

Artigo

9

Electrical activation of boron coimplanted with carbon in a silicon substrate

por Souza, Joel Pereira de

Publicado em 1993

Acessar documento

Artigo

10

Electrical isolation of n-type GaAs layers by proton bombardment : effects of the irration temperature

por Souza, Joel Pereira de

Publicado em 1998

Acessar documento

Artigo

11

Thermal stability of the electrical isolation in n-type gallium arsenide layers irradiated with H, He, and B ions

por Souza, Joel Pereira de

Publicado em 1997

Acessar documento

Artigo

12

Damage accumulation in Si crystal during ion implantation at elevated temperatures : evidence of chemical effects

por Souza, Joel Pereira de

Publicado em 2000

Acessar documento

Artigo

13

Mechanical strain and damage in Si implanted with O and N ions at elevated temperatures : evidence of ion beam induced annealing

por Souza, Joel Pereira de

Publicado em 2001

Acessar documento

Artigo

14

Amorphization/recrystallization of buried amorphous silicon layer induced by oxygen ion implantation

por Souza, Joel Pereira de

Publicado em 2004

Acessar documento

Artigo

15

Threshold shifting of nmos transitions by arsenic ion implantation prior to gate oxidation

por Souza, Joel Pereira de

Publicado em 1981

Acessar documento

Artigo

16

Implantação de baixa energia de Sb em cristais de Si

por Dalponte, Mateus

Publicado em 2001