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61

Analysis of proton irradiated n- and p-type strained FinFETs at low temperatures down to 100 K

por Caparroz, Luis Felipe Vicentis

Publicado em 2018

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Artigo

62

Proton Radiation Influence on SOI FinFET Trade-Off between Transistor Efficiency and Unit Gain Frequency

por Caparroz, Luis F. V.

Publicado em 2016

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Artigo de conferência

63

Comparative analysis of the intrinsic voltage gain and unit gain frequency between SOI and bulk FinFETs up to high temperatures

por Oliveira, Alberto Vinicius de

Publicado em 2016

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Artigo

64

Analog Figures of Merit of Vertically Stacked Silicon Nanosheets nMOSFETs With Two Different Metal Gates for the Sub-7 nm Technology Node Operating at High Temperatures

por Silva, Vanessa C. P.

Publicado em 2021

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Artigo

65

Analog design with Line-TFET device experimental data: From device to circuit level

por Gon alez Filho, Walter

Publicado em 2020

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Artigo

66

Enhanced Model for ZTC in Irradiated and Strained pFinFET

por Nascimento, Vinicius M.

Publicado em 2017

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Artigo de conferência

67

Intrinsic voltage gain of stacked GAA nanosheet MOSFETs operating at high temperatures

por Perina, Welder Fernandes

Publicado em 2020

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Artigo de conferência

68

Operational Transconductance Amplifier Design with Gate-All-Around Nanosheet MOSFET using Experimental Lookup Table Approach

por Sousa, Julia C. S.

Publicado em 2021

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Artigo de conferência

69

Trade-off analysis between gm/ID and fT of nanosheet NMOS transistors with different metal gate stack at high temperature

por Silva, Vanessa C.P.

Publicado em 2022

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Artigo

70

Design of operational transconductance amplifier with Gate-All-Around Nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200 °C

por Sousa, Júlia C.S.

Publicado em 2022

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Artigo

71

Impact of the low temperature operation on long channel strained Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes

por De Oliveira, Alberto Vinicius

Publicado em 2017

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Artigo de conferência

72

Back gate influence on transistor efficiency of SOI nMOS Ω-gate nanowire down to 10nm width

por Itocazu, Vitor T.

Publicado em 2017

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Artigo de conferência

73

Low-frequency and random telegraph noise performance of Ge-based and III-V devices on a Si platform

por Claeys, Cor

Publicado em 2017

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Artigo de conferência

74

Back Gate Influence on Transistor Efficiency of SOI nMOS Omega-gate Nanowire down to 10nm Width

por Itocazu, Vitor T.

Publicado em 2017

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Artigo de conferência

75

Influence of proton radiation and strain on nFinFET zero temperature coefficient

por Nascimento, Vinicius M.

Publicado em 2016

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Artigo de conferência

76

Two-stage amplifier design based on experimental Line-Tunnel FET data

por Filho, Walter Gonçalez

Publicado em 2019

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Artigo de conferência

77

Al Source-Drain Schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET

por Carvalho, Henrique L.

Publicado em 2022

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Artigo de conferência

78

Influence of Proton Radiation and Strain on nFinFET Zero Temperature Coefficient

por Nascimento, Vinicius M.

Publicado em 2016

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Artigo de conferência

79

OTA Performance Comparison Designed with Experimental NW-MOSFET and NW-TFET Devices

por Nogueira, Alexandro De M.

Publicado em 2019

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Artigo de conferência

80

Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis

por de Lima Silva, Wenita

Publicado em 2023

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