Resultados da busca por Autor

1

Low-Frequency and Random Telegraph Noise Performance of Ge-Based and III-V Devices on a Si Platform

por Claeys, Cor

Publicado em 2016

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Artigo de conferência

2

Low-frequency and random telegraph noise performance of Ge-based and III-V devices on a Si platform

por Claeys, Cor

Publicado em 2017

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Artigo de conferência

3

Low-frequency noise investigation of n-channel 3D devices

por De Andrade, Maria Glória Caño [UNESP]

Publicado em 2015

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Artigo

4

Tunnel-FET Evolution and Applications for Analog Circuits

por Agopian, Paula G. D. [UNESP]

Publicado em 2022

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Artigo

5

Impact of gate current on the operational transconductance amplifier designed with nanowire TFETs

por de M. Nogueira, Alexandro

Publicado em 2021

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Artigo

6

n-Channel Bulk and DTMOS FinFETs: Investigation of GIDL and Gate Leakage Currents

por Magan, Caio Malingre [UNESP]

Publicado em 2016

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Artigo de conferência

7

Proton radiation influence on SOI FinFET trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency

por Caparroz, Luis F.V.

Publicado em 2016

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Artigo de conferência

8

Zero Temperature Coefficient behavior for advanced MOSFETs

por Martino, Joao

Publicado em 2017

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Artigo de conferência

9

Operational Transconductance Amplifier Designed with SiGe-source Nanowire Tunnel-FET using Experimental Lookup Table Model

por Nogueira, Alexandro De M.

Publicado em 2020

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Artigo de conferência

10

Enhanced model for ZTC in irradiated and strained pFinFET

por Nascimento, Vinicius M.

Publicado em 2017

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Artigo de conferência

11

n-Channel bulk and DTMOS FinFETs: Investigation of GIDL and gate leakage currents

por Magan, Caio Malingre [UNESP]

Publicado em 2016

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Artigo de conferência

12

Proton Radiation Influence on SOI FinFET Trade-Off between Transistor Efficiency and Unit Gain Frequency

por Caparroz, Luis F. V.

Publicado em 2016

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Artigo de conferência

13

Comparative analysis of the intrinsic voltage gain and unit gain frequency between SOI and bulk FinFETs up to high temperatures

por Oliveira, Alberto Vinicius de

Publicado em 2016

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Artigo

14

Analysis of proton irradiated n- and p-type strained FinFETs at low temperatures down to 100 K

por Caparroz, Luis Felipe Vicentis

Publicado em 2018

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Artigo

15

Study of line-TFET analog performance comparing with other TFET and MOSFET architectures

por Agopian, Paula Ghedini Der [UNESP]

Publicado em 2017

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Artigo

16

Analog design with Line-TFET device experimental data: From device to circuit level

por Gon alez Filho, Walter

Publicado em 2020

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Artigo

17

Enhanced Model for ZTC in Irradiated and Strained pFinFET

por Nascimento, Vinicius M.

Publicado em 2017

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Artigo de conferência

18

Influence of proton radiation and strain on nFinFET zero temperature coefficient

por Nascimento, Vinicius M.

Publicado em 2016

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Artigo de conferência

19

Impact of the low temperature operation on long channel strained Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes

por De Oliveira, Alberto Vinicius

Publicado em 2017

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Artigo de conferência

20

Two-stage amplifier design based on experimental Line-Tunnel FET data

por Filho, Walter Gonçalez

Publicado em 2019

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Artigo de conferência